Осенние месяцы каждого года – это традиционное время проведения научных конференций, на которых ученые различных институтов, научных центров, университетов представляют последние результаты своих исследований. Не стал исключением и 2022 год: преподаватели и сотрудники базовой кафедры нанотехнологий в электронике ЯрГУ совместно со специалистами ЯФ ФТИАН им. К.А. Валиева РАН приняли участие в целом ряде крупных научных форумов, один из них - в VIII Всероссийская конференция и школа молодых ученых и специалистов «Физические и физико-химические основы ионной имплантации», прошедшая на базе КФТИ им. Е.К.Завойского, ФИЦ КазНЦ РАН.

В этом году она была посвящена памяти и 85-летию выдающегося ученого, основателя Казанской школы ионной имплантации, члена-корреспондента РАН Ильдуса Хайбуллина.

Владимир Иванович Бачурин, доктор физико-математических наук, доцент кафедры базовой кафедры нанотехнологий в электронике ЯрГУ и член оргкомитета конференции Владимир Бачурин, представил результаты исследований последних лет в устном докладе «Наноструктурирование поверхности тонких пленок алюминия ионным облучением». Работа, выполненная сотрудниками базовой кафедры нанотехнологий в электронике ЯрГУ совместно со специалистами ЯФ ФТИАН им. К.А. Валиева РАН, посвящена экспериментальному исследованию процесса формирования топографии на поверхности тонких пленок Al и АК1 - пленок Al, содержащих 1% Si при облучении образцом ионами О₂⁺. В докладе обсуждаются основные закономерности и возможные механизмы формирования наблюдаемых структур.

Аспирант Мария Александровна Смирнова представила на конференции стендовый доклад на тему «Дозовые и угловые распределения имплантированных ионов галлия в кремнии». Работа посвящена экспериментальному исследованию зависимостей распределения имплантированных ионов Ga⁺ в Si при изменении угла падения ионного пучка и дозы облучения. На основании проведенного исследования был сделан вывод о том, что имплантированный Ga существует в приповерхностном слое Si в виде преципитатов размером 2-5 нм и располагается на глубине 10-20 нм, в 2-3 атомных слоя. Впоследствии доклад аспирантки был признан одним из лучших стендовых докладов, представленных на конференции.

– Впечатления от конференции остались самые положительные, мероприятие было организовано на высоком уровне. Удалось познакомиться, пообщаться, обменяться контактами с коллегами из разных городов. Также была организована обзорная экскурсия по Казани – очень красивому, живому и современному городу со своей особенной атмосферой, – рассказала Мария. – Также меня приятно удивило место проведения – КФТИ им. Е.К.Завойского, ФИЦ КазНЦ РАН. Обычно конференция ФФХОИИ проводится в Нижнем Новгороде, но в этом году она была посвящена памяти и 85-летию выдающегося ученого, основателя Казанской школы ионной имплантации, чл.-корр. РАН Ильдуса Хайбуллина. Я очень рада, что мне удалось принять участие в работе конференции, представить свою работу коллегам.

Особое впечатление на демидовских ученых произвели доклады коллег из КФТИ им. Завойского: например, доклад Р.И. Хайбуллина (КФТИ им. Завойского, ФИЦ КазНЦ РАН) о наведенной фантазийной окраске в природном алмазе, образующейся в результате облучения ионами гелия – по словам демидовцев, это достаточно необычная область применения метода ионной имплантации. Также запомнился доклад Р.И. Баталова (КФТИ им. Е.К.Завойского, ФИЦ КазНЦ РАН) о гипердопировании кремния и германия, которое, например, позволяет увеличивать КПД солнечных элементов.

В кулуарах конференции обсудили возможность проведения совместных исследований с учеными из разных городов России с учетом возможностей технологического и аналитического оборудования ЦКП «Диагностика микро- и наноструктур» и базовой кафедры нанотехнологий в электронике ЯрГУ им. П.Г. Демидова в ЯФ ФТИАН им. К.А.Валиева РАН.